Guilei Wang - Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) epub indir Online

Uluslararası Dijital Yayıncılık Forumu (ePub, “ipab” olarak telaffuz edilir), Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) adlı kitabın Dijital Yayınları Tartışma Forumu ile bağlantılı olarak oluşturulan extension.epub ile birlikte, çeşitlerin elektronik yayınlanması için bir düzendir. Düzen, dijital dergiyi tek bir dosyaya dağıtır ve yayınlar, bu da elektronik yayınlar ePub ile uygun yazılım ve donanımın yanı sıra Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) içindeki diğer birkaç dergiyi kullanmayı mümkün kılar. Normal bir kitap Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses). EPub HTML 5'i ifade eder, stil oldukça karmaşıktır, ancak kolayca indirebilirsiniz. İki sistem - bu, HTML 5'i destekleyen minimum miktardır ve aslında, birbirine uymaz (iBooks ve Android), ayrıca HTML'nin bir kısmını destekleyen çok sayıda eski telefonun yanı sıra limitleri ve yanlışlıkları. EPub'ın sınırlamaları arasında - yazarın Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) adlı kitabının Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) küçük HTML belgelerine bölünmesi gerekecektir. Büyük belgeler içeren cihazlar kolay çalışmayabilir. Guilei Wang etkileşimli medya nesneleri ve dönüştürücü öğelerinin yenilenmiş tasarımı kolayca korunmaz. Epub ayrıca html verilerinin yanı sıra, içerikte kullanılan öğeleri içeren bir metin mesajına da sahiptir - grafikler, stiller, el yazmaları, yazı tipleri. Tüm bunları Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) Guilei Wang kitabında ücretsiz olarak indirebilirsiniz. HTML, CSS, vb. İçin belirli "ekler" veya "kısıtlamalar" Epub belirtmez. İnternet çok fazla dinamik içerik barındırıyor ve pek çok kitabın içeriği değişiyor ya da bozuluyor. Sitemizde, Guilei Wang yazarının Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) kitabı orijinal, saf haliyle sunulmaktadır. Epub düzeni basitlik, üretilebilirlik, açıklık ve ayrı DRM bakımıdır. Bu stil, Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) kılavuzuna elektronik biçimde rehberlik etmeyi amaçlamaktadır. Birçok uygulama indirmek için Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) EPub'u ücretsiz görüntülemenizi sağlar. Bu tarzda epub Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) aslında bir belge olarak dağıtılır.

This thesis presents the SiGe source and drain (S/D) technology in the context of advanced CMOS, and addresses both device processing and epitaxy modelling.  As the CMOS technology roadmap calls for continuously downscaling traditional transistor structures, controlling the parasitic effects of transistors, e.g. short channel effect, parasitic resistances and capacitances is becoming increasingly difficult. The emergence of these problems sparked a technological revolution, where a transition from planar to three-dimensional (3D) transistor design occurred in the 22nm technology node.  The selective epitaxial growth (SEG) method has been used to deposit SiGe as stressor material in S/D regions to induce uniaxial strain in the channel region. The thesis investigates issues of process integration in IC production and concentrates on the key parameters of high-quality SiGe selective epitaxial growth, with a special focus on its pattern dependency behavior and on key integration issues in both 2D and 3D transistor structures, the goal being to improve future applications of SiGe SEG in advanced CMOS.