fb2 Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) - Online indir

XML tabanlı FB2 Rusya'da yaşama başladı. E-kitap koleksiyoncuları arasında, meta verileri indirme dosyasında Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) saklayabildiği için yaygındır. Ayrıca, diğer biçimlere dönüştürme kolaylığı nedeniyle yaygın olarak bir depolama biçimi olarak kullanılır. FB2, Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) tarafından Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) adlı kitabın her bir öğesini tanımlayan ve öncelikle kurguya yönelik XML içerir. FB2 dosyaları Windows, macOS ve Linux için çeşitli e-kitap okuyucuları tarafından görüntülenebilir. FB2 dosya biçimi kitabın görünümü yerine yapısını tanımlar. Bu, diğer biçimlere dönüştürme ve ücretsiz Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) indirme için kullanışlı hale getirir. Biçim, basit anlamsal işaretleme, meta verileri gömme, Unicode ve yerleşik biçimlendirme ile ayırt edilir. Bu biçim, tüm cihazlarla ve biçimlerle uyumluluk sağlamak üzere tasarlanmıştır. FB2'nin özelliği, fb2'nin donanıma bağlı olmaması ve herhangi bir kağıt boyutuna sahip olmamasıdır, FB2'de herhangi bir yerde hiçbir ölçü birimi belirtilmez - piksel, nokta veya boyut. Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses) Guilei Wang .Fb2 dosyasından alınan metnin nasıl görüneceği, bu biçimin görüntüleme programının ayarlarına veya dosyayı başka bir biçime dönüştürürken belirtilen parametrelere bağlıdır. Bu formatın dezavantajı, ders kitapları, referans kitaplar ve bilimsel yayınlar için anlamlılık eksikliğidir (hatta “sanat kitabı” adı bundan söz eder). Biçimdeki metnin karmaşık bir düzeni, numaralı ve madde işaretli listeler ve diğer özel araçlar için destek yoktur. Tanınmış e-kitapların birçoğu FB2'yi yalnızca harici yazılım aracılığıyla destekler; PocketBook ve ABC gibi Sovyet sonrası ülkelerden gelen gelişmeler başlangıçta FB2'yi okuyor.

This thesis presents the SiGe source and drain (S/D) technology in the context of advanced CMOS, and addresses both device processing and epitaxy modelling.  As the CMOS technology roadmap calls for continuously downscaling traditional transistor structures, controlling the parasitic effects of transistors, e.g. short channel effect, parasitic resistances and capacitances is becoming increasingly difficult. The emergence of these problems sparked a technological revolution, where a transition from planar to three-dimensional (3D) transistor design occurred in the 22nm technology node.  The selective epitaxial growth (SEG) method has been used to deposit SiGe as stressor material in S/D regions to induce uniaxial strain in the channel region. The thesis investigates issues of process integration in IC production and concentrates on the key parameters of high-quality SiGe selective epitaxial growth, with a special focus on its pattern dependency behavior and on key integration issues in both 2D and 3D transistor structures, the goal being to improve future applications of SiGe SEG in advanced CMOS.